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基于鐵電薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si結(jié)構(gòu)的負(fù)電容效應(yīng)研究
關(guān)鍵詞：負(fù)電容 鐵電薄膜 pvdf mfis結(jié)構(gòu) 電感
摘要：采用旋涂法制備了基于鐵電聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)結(jié)構(gòu).通過(guò)測(cè)量MFIS結(jié)構(gòu)的電容-頻率特性和電容-電壓特性,觀察到負(fù)電容效應(yīng).測(cè)量頻率越低,正向偏壓越大,負(fù)電容效應(yīng)越顯著.在時(shí)域中,施加脈沖電壓,出現(xiàn)瞬態(tài)電流隨時(shí)間增大的電感現(xiàn)象.研究結(jié)果表明,MFIS結(jié)構(gòu)中的負(fù)電容效應(yīng)是一種電感現(xiàn)象.構(gòu)建能帶圖分析MFIS結(jié)構(gòu)中負(fù)電容效應(yīng)的產(chǎn)生原因,是由于大量電子注入到界面中被捕獲使得電流的相位落后于電壓導(dǎo)致.基于鐵電薄膜的負(fù)電容MFIS結(jié)構(gòu)有望應(yīng)用于低功耗器件中.
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