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1.55 μm AlGaInAs/InP小發(fā)散角量子阱激光器的仿真和制備
關鍵詞：銦磷基激光器 發(fā)散角 光場分布
摘要：理論仿真和實驗制備了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小發(fā)散角量子阱激光器.為了擴展近場光場并減小內(nèi)損耗,將一個非對稱模式擴展層插入到外延結(jié)構(gòu)的下蓋層當中.仿真結(jié)果表明,該模式擴展層除了少量增加激光器閾值電流以外,在不影響激光器其它性能的情況下能顯著減小激光器的垂直遠場發(fā)散角.實驗結(jié)果與理論仿真高度吻合.成功制備出脊寬4 μm,腔長1 000 μm的脊波導小發(fā)散角激光器.在端面未鍍膜的情況下,該激光器閾值電流為56 mA,輸出功率為17.38 mw@120 mA,斜率效率可以達到0.272 W/A.實驗測得垂直遠場發(fā)散角為29.6°,相比較傳統(tǒng)激光器減小了約35.3%.
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